중국의 대형 자동차업체인 둥펑(東風)기차 산하 자회사인 즈신(智新)반도체의 제2라인 증설이 완료됐다. 중국 경제 전문 매체 제일재경은 즈신 반도체가 오는 7월부터 본격 양산에 들어간다고 24일 전했다. 즈신반도체는 둥펑기차와 중국의 궤도차량 제조업체인 중궈중처(中國中車)가 2019년 6월 합작 설립한 반도체 업체다. 이 업체는 차량용 IGBT 반도체를 연구개발해온 팹리스(반도체 설계 전문업체)로, IGBT 제품을 현재 생산하고 있다. 후베이(湖北)성 우한(武漢)에 위치한 공장의 1라인은 2021년 7월부터 이미 양산을 하고 있으며, 연간 30만개의 IGBT 모듈을 생산할 수 있다. 2라인은 지난 4월 완공돼 그간 시험가동중이었다. 즈신반도체는 오는 7월 소규모 양산에 돌입한 후 10월에 본격 양산을 시행다는 계획이다. 특히 연산 40만개의 생산능력을 갖춘 2라인은 설비 국산화율이 70%에 달하는 것으로 전해지고 있다. 즈신반도체는 주로 400V 실리콘 기반 IGBT 모듈을 생산한다. 외국 제품에 비해 가격이 50% 낮아 가성비가 높다는 평가를 받고 있다. 2라인은 400V IGBT와 함께 800V 탄화규소(SIiC, 실리콘카바이드) IGBT 칩 모듈을 생산하
중국 정상급 후공정업체인 화톈커지(華天科技)가 2개월 새 130억 위안(한화 약 2조4400억원)을 투자해 장쑤(江蘇)성 난징(南京)에 신규 공장 두 곳 건설계획을 발표했다. 화톈커지의 자회사인 판구(盘古)반도체가 30억 위안을 투자해 난징에 선진 후공정 공장을 건설하기 위한 계약을 난징시 푸커우(浦口)경제개발구와 체결했다고 중국 매체 재커(ZAKER)가 23일 전했다. 해당 프로젝트는 조만간 기공할 예정이다. 내년에 부분 생산에 돌입하며, 2028년에 완전 양산에 돌입한다는 계획이다. 양산후 연간 매출액은 9억 위안으로 예상된다. 판구반도체는 화톈커지가 지난해 12월에 설립한 자회사다. 판구반도체는 FOPLP(팬아웃패널레벨패키징)를 포함한 보드급 패키징 기술의 연구개발과 상업생산을 전담시키는 차원에서 설립됐다. 패널레벨패키징(PLP)는 기존의 웨이퍼레벨패키징(WLP)보다 앞선 기술로 평가되고 있다. 이에 앞서 화톈커지는 지난 3월 난징 2공장 건설계획을 발표했다. 2공장 투자규모는 100억 위안이다. 2공장 건설은 3단계로 이뤄지며 2028년 건설이 완료될 예정이다. 완공 후 연매출은 약 60억 위안으로 예상됐다. 화톈커지의 난징 1공장은 현재 회사의 생산
중국의 전력반도체 1위 업체로 탄화규소(SiC, 실리콘카바이드) 반도체에 경쟁력을 가지고 있는 스란웨이(士蘭微, Silan)가 120억 위안(한화 2조2500억원)을 투자해 8인치 공장을 신규 건설한다. 스란웨이는 21일 저녁 거래소 공시를 통해 자회사인 샤먼(廈門)스란지훙(士蘭集宏)반도체에 증자를 단행했다고 중국 증권시보가 22일 전했다. 스란웨이는 샤먼시 시정부 산하 샤먼반도체투자기금 및 샤먼신이(新翼)과기와 함께 샤먼스란지훙에 모두 41억5000만 위안을 증자했다. 이와 함께 스란웨이는 샤먼시와 전략적 업무협력(MOU)을 체결했다. MOU 주요 내용은 스란웨이가 샤먼시에 120억 위안을 투자해 8인치 탄화규소 전력반도체 공장을 설립한다는 것이다. 공장 건설 주체는 스란웨이의 자회사인 샤먼스란즈훙이다. 이 업체는 올해 설립됐으며, 등록 자본금은 6000만 위안이다. 스란웨이는 샤먼시에 탄화규소 MOSFET(산화막 반도체 전기장 효과 트랜지스터)을 주제품으로 하는 8인치 웨이퍼 칩 제조라인을 건설한다는 방침이다. 1단계 프로젝트에는 70억 위안이 투자된다. 자본금인 42억1000만 위안이 전액 프로젝트에 투자되며 나머지 27억9000만 위안은 은행대출로 충
중국의 메모리 인터페이스 분야 팹리스(반도체 설계 전문업체)인 란치커지(瀾起科技, Montage Technology)가 DDR5 모듈에 사용되는 최신 RCD칩을 하반기에 대규모 출하할 예정인 것으로 알려졌다. 란치커지는 최근 기관투자자들을 대상으로 한 IR행사에서 이 같은 계획을 발표했다고 중국매체 퉁화순(同花順)재경이 21일 전했다. 란치커지는 DDR5의 사용이 확대됨에 따라 DDR5의 2세대 및 3세대 RCD칩 출하량이 전년대비 크게 증가할 것이라고 예상했다. DDR(Double Data Rate)은 메모리의 일종으로 데이터 전송 속도가 대폭 향상된 제품이다. DDR 메모리는 주로 컴퓨터의 주메모리(RAM)로 활용된다. 란치커지는 10년 이상 DDR 메모리 인터페이스를 연구해온 기업이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등이 주요 고객사다. 메모리 인터페이스 분야에서 세계 3위 업체다. RCD(Registered Clock Driver) 칩은 메모리 모듈에서 중요한 역할을 하는 구성품이다. 메모리 모듈에서 RCD 칩은 신호증폭, 신호분배, 등록기능을 수행한다. 란치커지는 DDR5용 2세대 RCD 칩 출하량은 올해 상반기에 1세대 RCD 칩을 넘어설 것으
JP모건이 중국 파운드리(반도체 위탁 제조) 업체들의 가동률이 빠르게 회복중이라고 진단했다. JP모건이 최근 발표한 '파운드리 산업 보고서’에서 파운드리 업체들의 재고 소진이 마무리 단계에 있으며, 관련 산업의 경기가 올해 하반기에 회복되고, 내년에는 회복세가 강해질 것으로 예상했다고 홍콩 봉황망이 20일 전했다. JP모건 측은 인공지능(AI) 반도체 관련 파운드리 수요가 늘고 있는데다, 다른 반도체 수요 역시 차츰 회복되고 있다고 설명했다. 특히 중국 파운드리 업체들의 가동률이 빠르게 회복중인 것으로 파악됐다. 보고서는 "중국 팹리스 업체들이 비교적 빨리 재고 조정에 나섰고, 지난 6개 분기 동안의 재고소진 작업을 거쳤으며, 재고는 현재 서서히 정상화되고 있다"고 평가했다. 보고서는 이어 "대형패널 구동 칩(LDDIC), 전원관리 칩(PMIC), 와이파이칩 등 일부 품목의 경우 긴급주문이 발생하고 있는 것으로 확인됐으며, 이 같은 품목은 사실상 상승 사이클에 진입한 것으로 판단된다"고 부연했다. 보고서는 가전제품, 통신, 컴퓨팅 분야의 반도체는 올해 1분기에 바닥을 쳤지만, 재고조정이 더디게 진행되고 있는 자동차용 반도체와 산업용 반도체는 올해 말에 회복될
인공지능(AI) 열풍으로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 급증하고 있는 가운데 중국 반도체 업체들도 HBM 개발에 나서고 있다. HBM은 D램 메모리를 수직으로 쌓아 공간을 절약하고 전력소비를 줄인 제품이다. AI 연산에 필요한 대량의 데이터를 처리하는데 적합한 메모리 반도체다. 미국 IT 컨설팅업체인 가트너의 성링하이(盛陵海) 애널리스트는 "중국은 현재 HBM 칩 패키징 기술을 보유하고 있지만, HBM 칩 제조능력은 아직 미성숙하고 개발 초기단계에 있다"고 발언했다고 중국 제일재경신문이 17일 전했다. 매체는 현재 기업공개(IPO)를 계획중인 우한신신(武漢新芯)이 HBM 공장을 건설중이라고 언급했다. 우한신신은 12인치 HBM 웨이퍼를 월 3000장 생산하는 공장을 지난 2월 착공했다. 성링하이 애널리스트는 "12인치 생산라인의 기준은 월 2만장 생산"이라며 "우한신신이 장비를 구매하는 단계일 수 있지만 양산능력은 아직 없다"고 평가했다. 창신춘추(長鑫存储, CXMT)는 현재 HBM 제조에 있어서 중국 내 선두 경쟁력을 지니고 있는 업체로 꼽힌다. CXMT는 중국 내 최대 D램업체로 지난해 11월 LPDDR5를 출시한 바 있다. LPDDR은 저전력 모바일용
중국의 2위 파운드리 업체인 화훙(華虹)반도체의 가동률이 90% 이상으로 올라선 것으로 나타났다. 화훙반도체는 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 이번 분기 공장 가동률이 91.7%를 기록했으며, 이는 전분기 대비 7.6%포인트 높아진 것이라고 발표했다고 중국전자보가 16일 전했다. 화훙반도체의 1분기 매출액은 4억6000만 달러로 전분기 대비 1% 증가했다. 전년 동기대비로는 27.1% 하락했다. 매출이익률은 6.4%로 전년 동기대비 25.7%포인트 낮아졌다. 전분기 대비로는 2.4%포인트 높아졌다. 순이익은 3180만달러로 전년대비 79.1% 낮아졌다. 전분기 대비로는 10.1% 증가했다. 왕딩(王鼎) 화훙반도체 최고재무관리자(CFO)는 "판가 하락으로 매출이 낮아졌으며, 가동률이 높아진 영향으로 매출액은 전분기 대비 상승했다"고 설명했다. 특히 중국내 스마트카드 칩, IGBT(절연게이트 양극성 트랜지스터)의 가격이 하락한 것이 큰 영향을 끼쳤다. 다만 일부 MCU(마이크로 컨트롤러 유닛)와 로직반도체, CIS(이미지센서) 가격은 상승했다고 소개했다. 품목별로 메모리 분야 매출액은 전년대비 감소했고, 시스템반도체와 무선주파수 반도체 분야는 전년대비 63.8%
중국의 무선 주파수 집적회로(RFIC)에 특화된 반도체 기업인 줘성웨이(卓勝微, Maxscend)가 고부가가치 첨단제품을 개발했다고 발표했다. 줘성웨이는 지난 1분기말 MAX-SAW의 L-PAMiD 칩을 개발했으며, 현재 샘플을 생산하고 있다고 중국 IT 전문매체 지웨이왕(集微網)이 14일 전했다. 줘성웨이는 SAW(표면 음향파) 필터 칩을 개발, 판매하고 있다. SAW필터는 RF(고주파) 신호 처리에 사용되며, 무선통신에서 주파수 선택, 신호 분리 및 필터링 용도로 활용된다. MAX-SAW는 음향파를 최대한 활용하는 기술 칩을 뜻한다. L-PAMiD는 MAX-SAW 기술의 일종으로 저전력 모드에서 파형을 변조하는 역할을 한다. MAX-SAW의 L-PAMiD 칩은 저전력 고음향파 필터 칩을 뜻한다. 지난해 SAW 필터 6인치 생산라인은 월간 8000장을 생산했으며, 올해 1만장까지 생산규모가 올라갈 것으로 예상된다. 6인치 생산라인은 월 1만6000장 규모의 2단계 증설계획을 가지고 있다. 또한 올해 1분기에는 12인치 생산라인을 완공해 양산에 돌입했다. 현재 줘성웨이의 제품은 일반 SAW 칩에서 MAX-SAW 칩으로 단계적으로 업그레이드되고 있으며, 1분기
신쑹(新松)반도체가 4억 위안(한화 약 756억원)의 전략적 투자를 유치했다. 이 업체는 중국의 선두권 로봇업체인 신쑹지치런(新鬆機器人)의 자회사다. 13일 중국 매체 터우쯔제(投資界)에 따르면 신쑹지치런은 공시를 통해 자회사인 신쑹반도체의 투자유치 소식을 전했다. 투자유치에 참여한 곳들은 중국의 정상급 반도체 투자펀드와 정상급 업체들이라는 점이 눈길을 끌었다. 투자자 모집은 공개입찰 방식으로 이뤄졌으며, 베이징집적회로장비산업투자기금, 국가집적회로산업투자기금2기, 중웨이(中微)반도체, 위안추(元初)창업자문파트너, 첸추(乾初)창업자문파트너, 옌취안커지(岩泉科技), 화하이진푸(華海金浦)창업투자파트너, 선양(沈陽)로봇산업발전그룹 등이 투자에 참여했다. 신쑹반도체의 증자가 완료되면 신쑹지치런의 보유지분 비율은 100%에서 71.4%로 낮아지게 되며, 나머지 지분은 투자사들이 보유하게 된다. 신쑹반도체는 반도체 웨이퍼 전송 전용 설비를 개발하는 반도체 장비업체다. 신쑹지치런의 반도체 장비 사업부가 분사했다. 신쑹반도체의 제품들은 이미 반도체 공정 제조 분야에 사용되고 있으며, 중국 내 고객은 물론 해외 고객까지 영업에 성공했다. 신쑹지치런은 "반도체 공정 로봇 장비는
중국의 1위 파운드리(반도체 외주 제작) 업체인 SMIC(중신궈지, 中芯國際)가 대만 TSMC, 삼성전자에 이어 글로벌 3위 파운드리 업체에 이름을 올렸다고 중국 IT전문매체 신즈쉰(芯智讯)이 10일 전했다. SMIC는 9일 저녁 1분기 경영실적을 거래소에 공시했다. 1분기 매출액은 전년대비 19.7% 증가한 17억5000만 달러로 분기매출액 기준 사상 최대치를 기록했다. 하지만 매출총이익은 전년대비 21.3% 감소한 2억4000만 달러였으며, 순이익은 68.9% 감소한 7180만 달러에 그쳤다. 매출액 기준으로 SMIC는 대만의 파운드리업체인 UMC와 미국의 글로벌파운드리를 제치고 글로벌 3위 파운드리 업에 올라섰다. 1위는 대만 TSMC였고, 2위는 삼성전자였다. 다만 매출 총이익과 순이익 면에서 SMIC는 UMC와 글로벌파운드리에 뒤져 있는 상태라고도 신즈쉰은 전했다. 매출액중 중국 내 매출액이 81.6%를 기록했다. 반면 미국 매출이 지속 하락해 14.9%에 멈췄다. 유럽과 아시아지역 매출액 비중은 3.5%였다. 또한 매출액 중 스마트폰 분야 매출 비중이 31.2%였고, 컴퓨터와 태블릿 매출이 17.5%, 가전제품의 비중이 30.9%를 차지했다. 인터
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UPDATE: 2025년 09월 06일 11시 06분
