중국의 반도체 업체인 창페이셴진이 200억 위안(한화 약 3조7600억원)을 들여 건설중인 후베이(湖北)성 우한(武漢) 공장이 완공됐다. 중국 매체인 EET차이나는 다음달부터 창페이셴진 우한 공장에 장비를 반입할 예정이며 3세대 전력반도체가 생산될 예정이라고 13일 전했다. 이 공장의 부지 면적은 22만9400㎡이며, 건축 면적은 30만1500㎡다. 웨이퍼 제조 공장, 패키지 공장, 애피텍셜(Epitaxial, 기판 위에 단결정층을 성장시키는 과정) 공장, 발전 건물, 창고, 오피스, 기숙사 등이 들어섰다. 창페이셴진 측은 우한공장의 모든 건물이 완공됐으며, 내년 6월에 장비 설치를 완료하고 시험 생산에 들어갈 계획이라고 밝혔다. 이 공장은 연간 36만장의 6인치 탄화규소(SiC, 실리콘 카바이드) 웨이퍼를 생산하고, 연간 6100만개의 전력 반도체를 생산할 수 있는 것으로 전해지고 있다. 생산된 제품은 신에너지 자동차, 태양광 등에 사용될 예정이다. 현재 창페이셴진은 650V~3300V 전압용 전력 반도체 생산 기술을 보유하고 있으며, 차량용 메인 드라이브, 차량용 전력 모듈, 태양광 인버터, 충전기 인버터 등 다양한 제품군을 생산하고 있다. 창페이셴진 우
중국이 반도체 공정 장비 중 하나인 수소 이온주입기를 자체 개발하는 데 성공했다. 중국국가전력투자그룹의 자회사인 허리촹신(核力创芯)은 국가원자력기구 핵기술 연구개발센터와 공동으로 수소 이온 주입 성능 업그레이드 반도체 제품을 고객사에 납품했다고 중국 매체 차이롄서(财联社)가 밝혔다. 국가전력투자그룹은 "허리촹신이 전력반도체 분야에서 고에너지 수소이온 주입과 관련된 핵심기술과 공정을 완성했다며, 이는 중국 반도체 공급망에서 누락됐던 중요한 부분을 보완했다는 의미를 지닌다"고 자체 평가했다. 또 반도체 이온주입 장비의 전면적인 국산화가 이뤄질 것이라고 국가전력투자그룹은 전망했다. 수소이온주입기는 600V 이상의 고압 전력반도체에 필수적인 장비이며 중국은 장기간 수입에 의존해 왔다. 허리촹신 측은 "수소 이온주입기 개발에 3년 이상이 소요됐으며, 비교적 빠른 기간에 여러 핵심 기술을 터득하는데 성공했다"며 "100% 자체 기술로 장비를 국산화해 냈다"고 설명했다. 이어 "핵기술을 반도체 장비 분야에 응용해 기술혁신을 이뤄냈다"고 덧붙였다. 회사 측은 "첫번째로 제작된 칩 제품은 1만시간의 누적 공정 및 신뢰성 테스트를 거쳤으며, 주요 기술 지표는 글로벌 선진 수준
중국의 대표적인 CPU(중앙처리장치) 업체인 룽신중커(龍芯中科, Loongson)가 개발 중인 GPU(그래픽 프로세서 유닛)가 올 연날 '코드 프리즈' 단계에 진입할 것이라고 중국 IT전문 매체인 콰이커지(快科技)가 11일 전했다. 코드 프리즈란 개발 중인 코드의 변경을 중단하는 것을 뜻하며, 이는 설계가 막바지에 달했음을 의미한다. 코드 프리즈 이후에는 마지막 검증 및 테스트 단계에 진입하게 된다. 매체에 따르면 룽신중커는 '9A1000'이라는 명칭의 그래픽 카드를 개발하고 있으며, 이는 룽신중커가 개발하는 첫번째 그래픽 카드이다. 그래픽 카드는 GPU를 포함하는 개념이다. 룽신중커가 개발 중인 9A1000은 AMD가 2017년에 출시한 GPU인 AMD RX 550의 성능과 비슷한 것으로 전해지고 있다. 만약 룽신중커가 내년에 9A1000을 출시한다 하더라도 룽신중커와 AMD의 이 분야 기술격차는 무려 8년에 달한다. 다만 룽신중커는 9A1000을 개발한 후 곧바로 9A2000 설계 작업에 진입할 예정이며, 최대한 빨리 9A2000을 출시한다는 계획이다. 9A2000은 9A1000에 비해 성능이 10배 가량 향상될 것이라는 게 회사측의 설명이다. 룽신중커는
중국의 무선 주파수 집적회로(RFIC)에 특화된 반도체 기업인 줘성웨이(卓勝微, Maxscend)가 3D 패키징 기술을 사용한 주파수칩을 개발하는데 성공했다. 중국 매체 퉁화순(同花顺)재경은 10일 줘성웨이가 현재 제품 검증 단계를 밟고 있다고 전했다. 그러면서 줘성웨이가 3D 적층 패키지에 대대적인 투자를 진행해 왔다고 부연했다. 이와 관련 줘성웨이 측은 첨단 모듈 조립 기술 능력을 구축했으며, 3D 패키징을 통해 더 나은 성능을 구현, 현재 제품 검증 단계라고 설명했다. 업계의 한 전문가는 무선 주파수칩의 3D 패키징 기술이 중국 내 반도체 기업으로부터 검증을 받은 사례가 없으며, 검증을 통과한다면 획기적인 기술 도약을 이뤄낸 것이라고 평가하고 있다. 주파수 칩을 3D로 적층하면 획기적인 성능 개선을 이끌어 낼 수 있다. 3D 패키징을 통해 칩들을 수직으로 쌓아 올리면 공간을 절약할 수 있다. 또 칩들 간의 거리를 줄일 수 있어서 더 높은 데이터 전송 속도를 구현할 수 있다. 칩들 간의 신호 전송 거리가 줄어들면서 전력 소모량도 감소한다. 여러 개의 칩을 하나의 패키지에 통합하면서 집적도도 높아진다. 다만 3D 패키징은 많은 칩이 적층되는 만큼, 열이 효
중국의 디스플레이 전용 반도체 업체가 28나노(nm) 공정을 적용한 화질 개선칩 양산에 성공했다. 셴신커지(显芯科技)는 디스플레이용 RRAM(Resistive Random Access Memory, 저항 변화 메모리) 칩을 개발, 양산중인 것으로 알려졌다. 이와 관련 베이징 이좡(亦庄)개발구가 위챗 공식계정을 통해 이 같이 전했다. 현재 관련 칩은 중국 프리미엄 TV용에 탑재, 출하되고 있다고 베이징 이좡개발구는 덧붙였다. 셴신커지 측은 "현재 세계 최고 반도체 공정은 2나노 공정이지만, 디스플레이용 칩의 경우에는 중국 내에서는 28나노가 최고 공정"이라며 "반도체 선단공정으로 디스플레이용 칩을 제작한다면 원가가 치솟을 수 밖에 없다"고 설명했다. 이어 회사 측은 "현재 디스플레이 화질 개선 칩 분야에서는 28나노 공정 칩이 중국내에서는 가장 프리미엄급의 제품"이라며 "특히 해당 칩은 중국 내 국산화율이 가장 낮은 디스플레이용 칩 제품"이라고 부연했다. 셴신커지는 4년여간의 연구개발 끝에 지난해 해당 제품 개발을 완료했으며, 그동안 시생산과 테스트 과정을 진행했다. 해당 제품의 지재권은 모두 셴신커지가 보유하고 있다. 화질 조정 알고리즘 역시 셴신커지가 독자
중국의 국유자본이 자국의 EDA(반도체 설계 자동화 도구) 업체에 자본을 투입, 최대주주에 올라섰다. 중국 정부 산하 국가집적회로산업투자기금(이하 대기금) 1기가 광둥(广东)성 선전(深圳)시에 위치한 EDA 업체인 훙신웨이나(鸿芯微纳)의 증자에 참여했다. 중국 IT 전문매체 신즈쉰(芯智讯)는 6일 대기금 1기가 4억9581만 위안(한화 약 930억원)을 출자했다고 전했다. 이에 따라 대기금 1기는 훙신웨이나의 지분 38.7%를 보유하게 됐다. 또 이번 증자에는 선전시 산하 인다오(引导)기금투자가 대기금 1기와 동일하게 4억9581만위안을 투자해 지분 38.7%를 취득했다. 대기금 1기와 선전시 산하 산업펀드가 보유한 훙신웨이나의 지분은 모두 77.4%다. 지분만 보면 훙신웨이나는 사실상 국유기업에 편입됐다. 다만 경영활동과 R&D의 자율성은 보장된다. 대기금 1기가 투자를 했다는 것은 해당 기업의 경쟁력이 시장 및 국가의 검증을 통과했음을 뜻한다. 훙신웨이나는 2018년에 설립된 EDA 전문업체다. 회사는 선전, 상하이, 베이징, 청두(成都)에 R&D 센터를 운영하고 있다. 주요 연구진들은 글로벌 EDA 및 팹리스(반도체 설계 전문업체) 출신으
중국의 전력반도체 특화 파운드리(반도체 외주 제작)업체인 신롄지청이 광둥성 선전에서 진행중인 PCIM 아시아 행사에 자사 제품을 대거 선보였다고 중국 IT매체 아이지웨이(爱集微)가 5일 전했다. PCIM 아시아는 유럽 최고의 전력 전자 전시회인 PCIM 유럽의 자매 행사다. PCIM 아시아는 2002년부터 매년 중국에서 개최되고 있다. 신롄지청은 현지 업계에서 가장 풍부한 신에너지자동차 주요 구동 인버터 파워 모듈제품을 선보였다. 해당 모듈의 파워 커버리지는 50~300kW다. 또 직렬식 태양광 전력 저장 솔루션과 풍력 발전기 모듈, 산업용 모듈, 가전용 스마트 파워 모듈 등을 전시했다. 신롄지청은 IGBT 제품 외에도 8인치 탄화규소(SiC, 실리콘 카바이드) 웨이퍼 샘플을 전시했다. 신롄지청은 중국 최초로 지난 4월 8인치 탄화규소 생산라인을 가동하기 시작했으며, 내년 초에 양산에 돌입할 예정이다. 중국내에 전력반도체 공급과잉 현상이 빚어지고 있다는 지적에 대해 신롄지청은 "저가 사양에서는 공급과잉 현상이 발생하고 있지만 프리미업급 사양에서는 공급이 부족한 상태"라고 설명했다. 이어 "기술 및 신뢰성에 대한 요구수준이 높은 차량용 및 신에너지 산업에서의
중국 반도체 기업들의 올해 상반기 R&D 투자액이 전년대비 16.3% 증가한 것으로 나타났다. 중국 증시에 상장된 217개 반도체 기업들의 반기 보고서를 통계한 결과, 올해 상반기 이들 업체의 R&D 투자액은 모두 402억6000만 위안(한화 약 7조5700억원)으로 전년대비 16.3% 증가했다고 중국 IT 전문매체인 지웨이왕(集微网)이 4일 전했다. 217개 업체의 매출액 합계는 3604억 위안으로, 매출액 대비 R&D 투자 비율은 11.17%를 나타났다. R&D 투자액이 10억 위안 이상인 업체는 4곳이었고, 5억위안~10억위안의 업체는 16곳이었다. 중신궈지(中芯国际)의 R&D 비용이 26억2000만 위안으로 가장 많았다. 이어 베이팡화촹(北方华创)이 13억4000만 위안을 투자했으며, 웨이얼구펀(韦尔股份) 12억5000만 위안, 하이광신시(海光信息) 11억3000만 위안 순이었다. 그 다음은 신롄지청(芯联集成) 8억6000만 위안, 나쓰다(纳思达) 8억3000만 위안, 창뎬커지(长电科技) 8억1000만 위안, 화훙(华虹)공사 7억7000만 위안, 징천구펀(晶晨股份) 6억7000만 위안, 푸퉁웨이뎬(通富微电) 6억70
중국의 대표적인 반도체 소재업체인 셴다오커지(先導科技)그룹이 반도체 라이다 및 센서 공장을 착공했다고 중국 다중일보가 3일 전했다. 셴다오커지의 공장은 산둥(山東)성 더저우(德州)에 건설된다. 갈륨 비소 기판 에피택셜 생산, 소자 모듈 제조 및 패키징을 위해 10개의 생산라인이 들어선다. 공장 건설에 모두 50억 위안(한화 약 9400억원)이 투입된다. 공장이 완공되면 반도체 라이다, 무선주파수 센서, 레이저 송수신 장치, 3D모듈 등 10여종의 제품을 생산할 수 있다. 연간 약 100만개의 반도체 라이다를 생산할 예정인 것으로 전해지고 있다. 라이다는 레이저를 이용해 물체와의 거리를 측정하는 기술로 주로 자율주행차, 드론, 로봇 등에 사용된다. 반도체 라이다는 반도체 기반의 고정된 배열 안에서 레이저를 방출하고 수신하는 방식으로 동작한다. 반도체 라이다는 일반 라이다에 비해 크기를 대폭 줄일 수 있으며, 생산 단가가 저렴하고, 송수신과 거리측정이 빨라지는 장점이 있다. 반도체 라이다는 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS)에서 중요한 센서 역할을 한다. 공장이 완공되면 연간 매출이 60억 위안에 이를 것으로 추정되고 있다. 셴다오커지는 "더저우 공장은 반도체
올해 상반기 70% 이상의 중국 반도체 기업의 매출액이 증가한 것으로 나타났다. 또 순이익이 증가한 곳은 111곳에 달했다. 미국 등 서방 진영의 중국 반도체 제재 및 압박에도 불구하고 중국 반도체 관련 주요 기업의 실적이 개선됐다. 중국 증시에 상장된 217개 반도체 업체 중 71.9%에 달하는 기업들이 올 상반기 매출액이 증가했다고 중국 IT 전문매체인 지웨이왕(集微網)이 2일 전했다. 또 217곳 가운데 8곳은 매출액이 전년대비 100% 증가한 것으로 나타났다. 매출액이 100억 위안을 넘는 곳은 8개 업체였다. 중신궈지(中芯国际, SMIC)가 262억 위안(한화 약 4조9400억원)으로 매출액 기준 1위에 올랐다. 이어 중덴강(中电港)이 247억 위안으로 2위, 창뎬커지(长电科技)가 154억위안으로 3위, 나쓰다(纳思达)가 127억 위안으로 4위, 베이팡화촹(北方华创)이 123억위안으로 5위였다. 또 웨이얼구펀(韦尔股份) 120억 위안, 퉁푸웨이뎬(通富微电) 110억 위안, 징성지뎬(晶盛机电) 101억 위안으로 6위부터 8위를 각각 차지했다. 그 뒤를 이어 장보룽(江波龙) 90억 위안, 싼안광뎬(三安光电) 76억 위안, 선커지(深科技) 70억 위안,
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