중국이 65조원 규모의 국영 반도체 투자 펀드를 조성했다. 중국 국무원 재정부의 주도로 국가집적회로산업투자기금 3기(3기 대기금)가 설립됐다고 중국 허쉰왕(和訊網)이 28일 전했다. 3기 대기금의 자본금은 3400억위안으로, 한화로는 약 65조원이다. 2014년 9월 설립된 1기 대기금의 자본금이 987억위안이었고, 2019년 10월 설립된 2기 대기금의 자본금이 2041억위안이었다. 3기 대기금은 사상 최대 규모의 중국 국영 반도체 펀드인 셈이다. 투자자로는 중국 재정부가 가장 많은 전체 자본금의 17.4%를 투자했고, 국가개발은행이 10.4%를, 상하이궈성(國盛)그룹이 8.7%를 각각 출자했다. 공상은행, 농업은행, 건설은행, 중국은행이 각각 6.2%를 투자했고, 교통은행이 5.8%, 우체국은행이 2.3% 투자했다. 3기 대기금의 대표이사는 장신(張新)이 임명됐다. 장신은 중국 공업정보화부 출신으로 오랜 기간 반도체 산업을 관장해 왔다. 특히 탄화규소(SiC, 실리콘카바이드) 등 3세대 반도체 산업 분야를 중점 연구해 왔다. 3기 대기금의 존속기간은 15년으로 설정됐다. 1기와 2기 대기금의 존속기간이 10년이었던 데 비해 5년 더 늘어났다. 이는 중국이
중국의 탄화규소(SiC, 실리콘 카바이드) 반도체 전문 파운드리(반도체 외주 제작) 업체인 신롄지청(芯聯集成, UNT)이 8인치 생산 라인 가동에 들어갔다. 8인치 탄화규소 반도체 생산라인이 가동되는 것은 이번이 처음이다. 신롄지청이 지난 20일 8인치 생산 라인이 양산을 시작했다고 중국 퉁화순(同花順)재경이 27일 전했다. 이 매체는 그러면서 중국 내 최초로 8인치 탄화규소 반도체 생산 시대가 열었다는 데 의미가 있다고 부연했다. 중국에서는 최근 2년동안 신에너지자동차, 풍력발전, 태양광발전 등의 산업이 급속 확장되면서, 해당 산업에 소요되는 탄화규소 반도체에 대한 수요 역시 성장하고 있다. 이로 인해 탄화규소 반도체 단일 소자 가격은 실리콘 반도체 가격의 4~5배에서 형성되고 있다. 현재 중국 내부에선 대량 생산을 통해 실리콘 반도체 가격의 2배 이내로 떨어질 것이라는 예상을 내놓고 있다. 신롄지청은 중국 내 탄화규소 반도체 제조에서 최상의 수율을 유지하고 있으며, 이번에 8인치 라인까지 가동하게 되면서 가격경쟁력을 지니게 될 것으로 예상하고 있다. 신롄지청은 탄화규소 칩 매출액이 지난해 3억7000만 위안에서 올해 10억 위안 이상으로 증가할 것으로 예
중국의 대형 자동차업체인 둥펑(東風)기차 산하 자회사인 즈신(智新)반도체의 제2라인 증설이 완료됐다. 중국 경제 전문 매체 제일재경은 즈신 반도체가 오는 7월부터 본격 양산에 들어간다고 24일 전했다. 즈신반도체는 둥펑기차와 중국의 궤도차량 제조업체인 중궈중처(中國中車)가 2019년 6월 합작 설립한 반도체 업체다. 이 업체는 차량용 IGBT 반도체를 연구개발해온 팹리스(반도체 설계 전문업체)로, IGBT 제품을 현재 생산하고 있다. 후베이(湖北)성 우한(武漢)에 위치한 공장의 1라인은 2021년 7월부터 이미 양산을 하고 있으며, 연간 30만개의 IGBT 모듈을 생산할 수 있다. 2라인은 지난 4월 완공돼 그간 시험가동중이었다. 즈신반도체는 오는 7월 소규모 양산에 돌입한 후 10월에 본격 양산을 시행다는 계획이다. 특히 연산 40만개의 생산능력을 갖춘 2라인은 설비 국산화율이 70%에 달하는 것으로 전해지고 있다. 즈신반도체는 주로 400V 실리콘 기반 IGBT 모듈을 생산한다. 외국 제품에 비해 가격이 50% 낮아 가성비가 높다는 평가를 받고 있다. 2라인은 400V IGBT와 함께 800V 탄화규소(SIiC, 실리콘카바이드) IGBT 칩 모듈을 생산하
중국 정상급 후공정업체인 화톈커지(華天科技)가 2개월 새 130억 위안(한화 약 2조4400억원)을 투자해 장쑤(江蘇)성 난징(南京)에 신규 공장 두 곳 건설계획을 발표했다. 화톈커지의 자회사인 판구(盘古)반도체가 30억 위안을 투자해 난징에 선진 후공정 공장을 건설하기 위한 계약을 난징시 푸커우(浦口)경제개발구와 체결했다고 중국 매체 재커(ZAKER)가 23일 전했다. 해당 프로젝트는 조만간 기공할 예정이다. 내년에 부분 생산에 돌입하며, 2028년에 완전 양산에 돌입한다는 계획이다. 양산후 연간 매출액은 9억 위안으로 예상된다. 판구반도체는 화톈커지가 지난해 12월에 설립한 자회사다. 판구반도체는 FOPLP(팬아웃패널레벨패키징)를 포함한 보드급 패키징 기술의 연구개발과 상업생산을 전담시키는 차원에서 설립됐다. 패널레벨패키징(PLP)는 기존의 웨이퍼레벨패키징(WLP)보다 앞선 기술로 평가되고 있다. 이에 앞서 화톈커지는 지난 3월 난징 2공장 건설계획을 발표했다. 2공장 투자규모는 100억 위안이다. 2공장 건설은 3단계로 이뤄지며 2028년 건설이 완료될 예정이다. 완공 후 연매출은 약 60억 위안으로 예상됐다. 화톈커지의 난징 1공장은 현재 회사의 생산
중국의 전력반도체 1위 업체로 탄화규소(SiC, 실리콘카바이드) 반도체에 경쟁력을 가지고 있는 스란웨이(士蘭微, Silan)가 120억 위안(한화 2조2500억원)을 투자해 8인치 공장을 신규 건설한다. 스란웨이는 21일 저녁 거래소 공시를 통해 자회사인 샤먼(廈門)스란지훙(士蘭集宏)반도체에 증자를 단행했다고 중국 증권시보가 22일 전했다. 스란웨이는 샤먼시 시정부 산하 샤먼반도체투자기금 및 샤먼신이(新翼)과기와 함께 샤먼스란지훙에 모두 41억5000만 위안을 증자했다. 이와 함께 스란웨이는 샤먼시와 전략적 업무협력(MOU)을 체결했다. MOU 주요 내용은 스란웨이가 샤먼시에 120억 위안을 투자해 8인치 탄화규소 전력반도체 공장을 설립한다는 것이다. 공장 건설 주체는 스란웨이의 자회사인 샤먼스란즈훙이다. 이 업체는 올해 설립됐으며, 등록 자본금은 6000만 위안이다. 스란웨이는 샤먼시에 탄화규소 MOSFET(산화막 반도체 전기장 효과 트랜지스터)을 주제품으로 하는 8인치 웨이퍼 칩 제조라인을 건설한다는 방침이다. 1단계 프로젝트에는 70억 위안이 투자된다. 자본금인 42억1000만 위안이 전액 프로젝트에 투자되며 나머지 27억9000만 위안은 은행대출로 충
중국의 메모리 인터페이스 분야 팹리스(반도체 설계 전문업체)인 란치커지(瀾起科技, Montage Technology)가 DDR5 모듈에 사용되는 최신 RCD칩을 하반기에 대규모 출하할 예정인 것으로 알려졌다. 란치커지는 최근 기관투자자들을 대상으로 한 IR행사에서 이 같은 계획을 발표했다고 중국매체 퉁화순(同花順)재경이 21일 전했다. 란치커지는 DDR5의 사용이 확대됨에 따라 DDR5의 2세대 및 3세대 RCD칩 출하량이 전년대비 크게 증가할 것이라고 예상했다. DDR(Double Data Rate)은 메모리의 일종으로 데이터 전송 속도가 대폭 향상된 제품이다. DDR 메모리는 주로 컴퓨터의 주메모리(RAM)로 활용된다. 란치커지는 10년 이상 DDR 메모리 인터페이스를 연구해온 기업이다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등이 주요 고객사다. 메모리 인터페이스 분야에서 세계 3위 업체다. RCD(Registered Clock Driver) 칩은 메모리 모듈에서 중요한 역할을 하는 구성품이다. 메모리 모듈에서 RCD 칩은 신호증폭, 신호분배, 등록기능을 수행한다. 란치커지는 DDR5용 2세대 RCD 칩 출하량은 올해 상반기에 1세대 RCD 칩을 넘어설 것으
JP모건이 중국 파운드리(반도체 위탁 제조) 업체들의 가동률이 빠르게 회복중이라고 진단했다. JP모건이 최근 발표한 '파운드리 산업 보고서’에서 파운드리 업체들의 재고 소진이 마무리 단계에 있으며, 관련 산업의 경기가 올해 하반기에 회복되고, 내년에는 회복세가 강해질 것으로 예상했다고 홍콩 봉황망이 20일 전했다. JP모건 측은 인공지능(AI) 반도체 관련 파운드리 수요가 늘고 있는데다, 다른 반도체 수요 역시 차츰 회복되고 있다고 설명했다. 특히 중국 파운드리 업체들의 가동률이 빠르게 회복중인 것으로 파악됐다. 보고서는 "중국 팹리스 업체들이 비교적 빨리 재고 조정에 나섰고, 지난 6개 분기 동안의 재고소진 작업을 거쳤으며, 재고는 현재 서서히 정상화되고 있다"고 평가했다. 보고서는 이어 "대형패널 구동 칩(LDDIC), 전원관리 칩(PMIC), 와이파이칩 등 일부 품목의 경우 긴급주문이 발생하고 있는 것으로 확인됐으며, 이 같은 품목은 사실상 상승 사이클에 진입한 것으로 판단된다"고 부연했다. 보고서는 가전제품, 통신, 컴퓨팅 분야의 반도체는 올해 1분기에 바닥을 쳤지만, 재고조정이 더디게 진행되고 있는 자동차용 반도체와 산업용 반도체는 올해 말에 회복될
인공지능(AI) 열풍으로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 급증하고 있는 가운데 중국 반도체 업체들도 HBM 개발에 나서고 있다. HBM은 D램 메모리를 수직으로 쌓아 공간을 절약하고 전력소비를 줄인 제품이다. AI 연산에 필요한 대량의 데이터를 처리하는데 적합한 메모리 반도체다. 미국 IT 컨설팅업체인 가트너의 성링하이(盛陵海) 애널리스트는 "중국은 현재 HBM 칩 패키징 기술을 보유하고 있지만, HBM 칩 제조능력은 아직 미성숙하고 개발 초기단계에 있다"고 발언했다고 중국 제일재경신문이 17일 전했다. 매체는 현재 기업공개(IPO)를 계획중인 우한신신(武漢新芯)이 HBM 공장을 건설중이라고 언급했다. 우한신신은 12인치 HBM 웨이퍼를 월 3000장 생산하는 공장을 지난 2월 착공했다. 성링하이 애널리스트는 "12인치 생산라인의 기준은 월 2만장 생산"이라며 "우한신신이 장비를 구매하는 단계일 수 있지만 양산능력은 아직 없다"고 평가했다. 창신춘추(長鑫存储, CXMT)는 현재 HBM 제조에 있어서 중국 내 선두 경쟁력을 지니고 있는 업체로 꼽힌다. CXMT는 중국 내 최대 D램업체로 지난해 11월 LPDDR5를 출시한 바 있다. LPDDR은 저전력 모바일용
중국의 2위 파운드리 업체인 화훙(華虹)반도체의 가동률이 90% 이상으로 올라선 것으로 나타났다. 화훙반도체는 1분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 이번 분기 공장 가동률이 91.7%를 기록했으며, 이는 전분기 대비 7.6%포인트 높아진 것이라고 발표했다고 중국전자보가 16일 전했다. 화훙반도체의 1분기 매출액은 4억6000만 달러로 전분기 대비 1% 증가했다. 전년 동기대비로는 27.1% 하락했다. 매출이익률은 6.4%로 전년 동기대비 25.7%포인트 낮아졌다. 전분기 대비로는 2.4%포인트 높아졌다. 순이익은 3180만달러로 전년대비 79.1% 낮아졌다. 전분기 대비로는 10.1% 증가했다. 왕딩(王鼎) 화훙반도체 최고재무관리자(CFO)는 "판가 하락으로 매출이 낮아졌으며, 가동률이 높아진 영향으로 매출액은 전분기 대비 상승했다"고 설명했다. 특히 중국내 스마트카드 칩, IGBT(절연게이트 양극성 트랜지스터)의 가격이 하락한 것이 큰 영향을 끼쳤다. 다만 일부 MCU(마이크로 컨트롤러 유닛)와 로직반도체, CIS(이미지센서) 가격은 상승했다고 소개했다. 품목별로 메모리 분야 매출액은 전년대비 감소했고, 시스템반도체와 무선주파수 반도체 분야는 전년대비 63.8%
중국의 무선 주파수 집적회로(RFIC)에 특화된 반도체 기업인 줘성웨이(卓勝微, Maxscend)가 고부가가치 첨단제품을 개발했다고 발표했다. 줘성웨이는 지난 1분기말 MAX-SAW의 L-PAMiD 칩을 개발했으며, 현재 샘플을 생산하고 있다고 중국 IT 전문매체 지웨이왕(集微網)이 14일 전했다. 줘성웨이는 SAW(표면 음향파) 필터 칩을 개발, 판매하고 있다. SAW필터는 RF(고주파) 신호 처리에 사용되며, 무선통신에서 주파수 선택, 신호 분리 및 필터링 용도로 활용된다. MAX-SAW는 음향파를 최대한 활용하는 기술 칩을 뜻한다. L-PAMiD는 MAX-SAW 기술의 일종으로 저전력 모드에서 파형을 변조하는 역할을 한다. MAX-SAW의 L-PAMiD 칩은 저전력 고음향파 필터 칩을 뜻한다. 지난해 SAW 필터 6인치 생산라인은 월간 8000장을 생산했으며, 올해 1만장까지 생산규모가 올라갈 것으로 예상된다. 6인치 생산라인은 월 1만6000장 규모의 2단계 증설계획을 가지고 있다. 또한 올해 1분기에는 12인치 생산라인을 완공해 양산에 돌입했다. 현재 줘성웨이의 제품은 일반 SAW 칩에서 MAX-SAW 칩으로 단계적으로 업그레이드되고 있으며, 1분기